​在真空领域，衡量真空度的单位丰富多样，各自有着独特的起源与应用场景。真空的衡量标准（一）常用单位帕（Pa）作为国际单位制中压力的基本单位，定义为 1 牛顿的力均匀而垂直地作用在 1 平方米的面积上所产生的压力，即 1Pa = 1N/m² 。它在科学研究、工程计算等方面广泛应用，是最为基础的真空度衡量

​多晶硅和单晶硅都是半导体材料，是电子工业中非常重要的材料，但它们的制备工艺、物理性质以及应用领域有所不同。晶体是由原子、离子或分子在三维空间中按照一定的周期性排列而形成的固体。这种有序的排列赋予晶体特定的物理和化学性质。常见的晶体材料包括金属晶体（如铁、铜）、离子晶体（如NaCl）、介质晶体（如氧化

​原子层沉积（ALD）是一种能够从气相中沉积各种薄膜材料的技术。原子层沉积在新兴的半导体和能源转换技术中显示出巨大的前景。基于连续的自限性反应，ALD在高纵横比结构上提供了出色的保形性，在埃级的厚度控制和可调的薄膜成分上提供了出色的保形性。凭借这些优势，原子层沉积已成为许多工业和研究应用的强大工具。在

​全球数字经济发展如火如荼，半导体产业的支撑作用更加突出。物联网、人工智能、汽车电子、智能手机、智能穿戴、云计算、大数据和安防电子等应用领域的强劲需求推动半导体产业规模不断扩大，导致本轮半导体景气周期超预期持续。半导体技术的进步、半导体产业向中国大陆的转移、国产化趋势的明朗和加快，为国内半导体设备特别

​一、容器内原有的气体的余压力极高真空系统开始抽气以前，容器及管道、冷阱等部件内预先贮存有一定量的气体。 若用一定抽速的泵来排除容器内原有的气体，其压力随抽气时间呈指数递减。系统如果没有其他气源，仅有原存的气体，一个对该种气体具有小的抽速可以很快地抽走容器内的这种气体分子。随着抽气时间的增加，容器内压

​石英坩埚作为熔硅的载体有着其不可替代的作用。了解石英坩埚的特性和掌握正确的方法对所有从事单晶制备的每一位从业人员来说都是非常重要的。石英坩埚的主要成分：石英坩埚的主要成分是二氧化硅(SiO2)，这是一种耐高温的无机非金属材料，具有很好的化学稳定性和热稳定性，不易被化学物质侵蚀。石英坩埚是实验室中比较

​表面处理是在基体材料表面上人工形成一层与基体的机械、物理和化学性能不同的表层的工艺方法。表面处理的目的是满足产品的耐蚀性、耐磨性、装饰或其他特种功能要求。我们比较常用的表面处理方法是：机械打磨，化学处理，表面热处理，喷涂表面，表面处理就是对工件表面进行清洁、清扫、去毛刺、去油污、去氧化皮等。常用表面

​磁控溅射真空镀膜设备镀膜工艺主要受哪几个参数影响呢？磁控镀膜机里面的工艺参数有很多很多，每个参数对磁控镀膜系统来说都是非常重要的因素，因为一个参数未达标，都没办法完成所需要达到的要求，本期给大家介绍磁控溅射真空镀膜设备几个常见比较重要参数，希望能帮助到大家：溅射阈值 将靶材原子溅射出来所需的入射离子

​作为一种高度精确且可控的薄膜制造工艺，原子层沉积(ALD)正被用到越来越多的应用中。但还有很多朋友提问化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）的区别，那么今天我们从反应效率、均匀性以反应温度三方面来进行说明。原子层沉积(ALD) 是一种基于连续使用气相化学过程的薄膜沉积技术； 它是化学气相沉积的

​物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术， 物理气相沉积是主要的表面处理技术之一。PVD(物

​CVD(化学气相沉积)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个

​有人曾这样形容磁控溅射技术——就像往平静的湖水里投入了石子溅起水花。磁控溅射真空镀膜技术是物理气相沉积（Physical Vapor Deposition）的一种，其原理是：用带电粒子加速轰击靶材表面，发生表面原子碰撞并产生能量和动量的转移，使靶材原子从表面逸出并沉积在衬底材料上的过程。磁控溅射技术

​近年来，新型太阳能电池技术不断发展，钙钛矿电池作为其中的代表之一，一度成为人们关注的热点。钙钛矿电池以其良好的光电转化效果、简单的制备工艺和原材料的充足性，被誉为是下一代光伏电池的主流技术之一。近日，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所（以下简称固体所）、中国科学院光伏与节能材料重点实验室研究

​半导体行业的发展离不开行业的共识，而行业的共识往往体现在行业所公认的路线图里面。在上世纪末，美国的半导体工业协会SIA联合欧洲和亚洲的半导体行业，开始发布大名鼎鼎的国际半导体技术路线图（ITRS）。ITRS主要的贡献是通过协调全球的半导体行业，发布了在21世纪初十多年中的芯片技术路线图，包括特征尺寸

​近年来，以风电为代表的新能源快速发展，在绿色转型发展、能源结构优化中发挥了重要作用。物联网作为对全球经济变革有重要影响的技术之一，可能将改变新能源传统生产、传输和消费方式，显著提高新能源发展质量和效益。当前，加快规划建设新型能源体系，推进能源绿色低碳转型的任务非常紧迫，促进能源电力行业数字化转型势在

​PVD真空镀膜设备主要用于消费电子行业，工具五金行业，光学及玻璃行业以及太阳能薄膜等行业，近几年下游行业对PVD真空镀膜设备的需求量一直保持相当程度的增长。中国PVD真空镀膜设备市场规模居全球前列，PVD镀膜设备制造业的上游对应钢材批发与零售业、机械设备制造业、真空泵行业与生产用特殊气体供应行业。下

​薄膜是一种物质形态，它所使用的膜材料非常广泛，可以是单质元素或化合物，也可以是无机材料或有机材料。薄膜与块状物质一样，可以是单晶态的，多晶态的或非晶态的。近年来功能材料薄膜和复合薄膜也有很大发展。镀膜技术及薄膜产品在工业上的应用非常广泛，尤其是在电子材料与元器件工业领域中占有及其重要的地位。在常压下

​近日，美国商务部工业和安全局发布了针对芯片的出口禁令新规，对中国半导体的打压进一步升级。事实上，与“芯片制裁”一同发起的还有“舆论制裁”。美国发起科技战、贸易战、金融战之时，舆论战也在同步开打，或运用硬手段进行舆论威慑和舆论打击，或运用软手段进行舆论笼络和“捧杀”。这样做的目的，无非是为了遏制中国的

​全球气候变暖及化石能源日益枯竭的大背景下，过去几年能源转型趋势势不可挡，光伏产业迎来了历史性最佳发展机遇期。全球光伏新增装机量快速爆发，在不断刷新行业发展速度的同时，也吸引了大量资金“疯狂”涌入行业。至2023年底，光伏制造端的硅料、硅片、电池片、组件四个环节产能均超过900GW，而长江证券研究所的

​电子束蒸发（Electron Beam Evaporation）是物理气相沉积的一种形式，其中待蒸发材料被来自带电钨丝的电子束轰击，当电子束撞击目标材料时，它的能量转化为热能，使目标材料达到蒸发的状态，并将其转化为气态，在高真空室中，这些蒸发的原子或分子随后沉积在基板上形成薄膜。电子束蒸发真空镀膜设

​随着稳增长稳就业稳物价各项政策措施落地显效，工业生产稳步恢复，制造业增速加快，装备制造业支撑明显。国家统计局数据显示，从产品来看，太阳能电池（光伏电池）产量同比增长53.2%。根据国家统计局数据，今年9月份，我国太阳能电池（光伏电池）产量实现51.4GW，而去年9月份仅为29.8GW，同比大增65.

​过去几十年来，半导体制造由中国大陆、韩国和中国台湾三个地区主导，2021年这三个地区共计占全球市场的 87%。而今，随着地缘政治的转变，各国或地区都在寻求降低对单一供应链的依赖，努力发展自己的半导体产业，确保技术的独立性和安全性，全球半导体格局正在被重塑。地缘政治的变化不仅可能影响供应链、原材料的获

​什么是蒸发镀膜真空蒸发镀膜是指在真空条件下，通过蒸发源加热蒸发某种物质使其沉积在基板材料表面来获得薄膜的一种技术。被蒸发的物质被称为蒸镀材料。由于真空蒸发法或真空蒸镀法主要物理过程是通过加热蒸发材料而产生，所以又称热蒸发法或者热蒸镀，所配套的设备称之为热蒸发真空镀膜机。蒸发镀膜是PVD真空镀膜方式的

​在薄膜材料制备技术中，原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）是两种被广泛应用的核心技术。尽管二者均通过气相前驱体的化学反应实现薄膜生长，但在工艺机制、控制精度、反应条件及应用场景等方面存在本质差异。深入解析这些差异，可为材料制备过程中的技术选型提供关键依据。工艺机制：反应路径的本质差异ALD

​在材料表面改性和薄膜制备技术的广阔领域中，磁控溅射技术以其独特的优势和广泛的应用，成为了现代材料科学与工程领域的关键技术之一。从微电子器件中精密的金属电极薄膜，到光学领域中提升光学元件性能的增透膜、低辐射玻璃，再到机械加工中增强材料表面性能的功能膜层，磁控溅射技术无处不在，深刻地影响着我们的生活和科

​在真空技术领域，单位换算和计算公式是进行相关工作的基础。准确掌握这些知识，对于真空系统的设计、运行、检测等环节都至关重要。下面将详细介绍常用的真空单位换算及17个真空常用计算公式。常用的真空单位换算真空度的度量单位有多种，不同国家和地区在使用过程中可能会有所差异，以下是一些常用真空单位及其换算关系：

​本文详细探讨了磁控溅射过程中靶中毒这一关键问题。深入分析了靶中毒的现象、机理及对溅射过程和薄膜质量的严重影响。通过对反应气体、溅射功率、靶材与基底材料等多种因素的综合研究，揭示了靶中毒的成因。靶面金属化合物的形成由金属靶面通过反应溅射工艺形成化合物的过程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反应气体粒

​蒸镀技术作为一种重要的薄膜制备方法，在电子、光学、太阳能等众多领域得到了广泛应用。选择合适的蒸镀材料和蒸发装置是制备高质量薄膜的关键，直接影响到薄膜的性能、生产成本以及生产效率。本文深入探讨常见蒸镀材料及蒸发装置选择。介绍了金属、化合物、有机材料等各类蒸镀材料特性，分析电阻、电子束蒸发装置特点，阐述

​北京泰科诺科技23年真空行业经验，独立研发的热丝法制备金刚石膜方法填补了国内行业空白，产品获得多项国家专利和认证。广泛适用于各大高校、科研院所和生产企业实现教学、研发和中试之目的。目前已初步实现产业化生产。一、制备金刚石厚膜1、连续沉积40天，膜层厚度2.1mm。2、可以把厚膜经过激光切割成金刚石刀

​前言：杂化钙钛矿晶体主要是将无机盐和有机盐充分混合及反应后，然后将得到的前驱体溶液在介孔材料中的孔隙内组装而形成的。一般来说，制备杂化钙钛矿晶体薄膜的方法有：①一步溶液旋涂法；②双源气相沉积法；③两步溶液浸渍法。①一步溶液旋涂法是将等摩尔比的CH3NH3I和PbI2的γ-丁内酯或DMF溶液，然后将其