设备型号 ：JCP500
真空腔室结构 ：立式前开门结构 后置抽气系统
真空腔室尺寸 ：Φ500mm×H420mm
加热温度 ：室温～ 500℃
基片台尺寸 ：Φ150mm
膜厚不均匀性 ：Φ100mm 范围内≤ ±5.0%
溅射靶： Φ3 英寸磁控靶 3 支 兼容 DC/MF/RF 溅射
工艺气体 ：2-3 路气体流量控制
控制方式 ：PLC/PC（可选）
占地面积 （主机） ： L1900mm×W800mm×H1900mm
总功率 ：≥ 10kW

大专院校、科研院所及企业进行薄膜新材料的科研与小批量制备

1. 可提供工艺技术支持，及良好售后服务；

2. 设备结构紧凑，占地面积小，性价比高，性能稳定，使用维护成本低；

3. 单靶溅射 / 多靶依次溅射或共同溅射，兼容 DC/MF/RF 溅射等功能 。

4. 可制备单层及多层金属膜、介质膜、半导体膜、耐热合金膜、硬质膜、耐腐蚀摸、透明导电膜，如钙钛矿空穴传输层、金属电极以及透明导电层ITO膜层的制备等”；