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产品简介
设备型号： JCP200
真空腔室结构： 立式上开盖结构
真空腔室尺寸： Φ220mm×H300mm
加热温度： 室温～ 500℃
基片台尺寸： Φ100mm
膜厚不均匀性： Φ50mm 范围内≤ ±5.0%
溅射靶： Φ2 英寸磁控靶 1 支 兼容 DC/RF 溅射
工艺气体 ：1-2 路气体流量控制
控制方式 ：PLC + 触摸屏控制
占地面积 （主机） ：L600mm×W800mm×H1700mm
总功率 ：≥ 6kW
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